IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70261L15PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	285mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	SEMAPHORE		5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30			5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2				15 ns	16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V3579S85PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2005	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	87MHz	0.18mA		256KX18	3-STATE	18			0.03A	4718592 bit	8.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71V416L15BEI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TFBGA	48	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e0	no	活跃	4 (72 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		18b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3557S80PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	260mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		95MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3379S5BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	360mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		100MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	72kB	2				5 ns		3-STATE		30b	576 kb	0.015A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65903S80BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	250mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			95MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1				8 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V24S25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	190mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	8kB	2				25 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V256SA15YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	85mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99		85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		30		不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1				15 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	YES	3.556mm					Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA12PZ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSSOP	YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			1997	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	240	1	0.55mm	not_compliant		20	R-PDSO-G28	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.09mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	1.2mm	11.8mm	8mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA12Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			2010	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm			30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.09mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			符合RoHS标准
71V3577S80BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	210mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流线型结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V416S15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.17mA		256KX16	3-STATE	16			0.02A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA15PZI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSSOP	YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	240	1	0.55mm	not_compliant		20	R-PDSO-G28	不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel		1			0.085mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	1.2mm	11.8mm	8mm			Non-RoHS Compliant
71V016SA20BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		48	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1				20 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V416S15PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	170mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2005	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm			20		不合格		COMMERCIAL	Parallel		1				15 ns		3-STATE	16	18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	YES						符合RoHS标准
6116SA25SOG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2014	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1				30			5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1				25 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67903S80PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		100MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel		1				8 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71321SA55JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	190mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	2kB	2				55 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.03A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V424L15PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	145mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		19b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V65603S100BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	270mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1				10 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416S12BEI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TFBGA	48	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2005	e0	no	活跃	4 (72 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				12 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71256SA15YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			2010	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm			20		不合格	5V	INDUSTRIAL	Parallel		1			0.15mA		32KX8	3-STATE	8			0.015A	262144 bit	15 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V	YES	3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			符合RoHS标准
71V65703S80BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	250mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			95MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1				8 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116SA25SOG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Bulk	2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1				30			5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1				25 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V632S7PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	160mA	66MHz	RAM, SDR, SRAM		2015	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		66MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	256kB	1				7 ns	64KX32	3-STATE		16b	2 Mb				COMMON	Synchronous	32b		3.63V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅