Integrated Device Technology (IDT) 71V65603S100BGI
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71V65603S100BGI
1179-71V65603S100BGI
存储器
BGA
大陆
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SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 5ns 119-Pin BGA
--最小包装量--
71V65603S100BGI详情
Integrated Device Technology (IDT) 71V65603S100BGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
BGA
引脚数
119
Frequency(Max)
100MHz
Memory Types
RAM, SDR, SRAM
已出版
2007
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
流水线结构
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
119
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.465V
最小电源电压
3.135V
内存大小
1.1MB
端口的数量
1
电源电流
270mA
访问时间
10 ns
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.06A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
14mm
座位高度(最大)
2.36mm
宽度
22mm
器件厚度
2.15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
71V65603S100BGI拓展信息
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