IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
71V3577S80BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	200mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流线型结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S15YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1				15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3579S75PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	255mA	117MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		117MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				7.5 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S20TYG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	140mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1				20 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.759mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S20YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	140mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1				20 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V124SA15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	32		RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0			3 (168 Hours)	32	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel					0.1mA		128KX8	3-STATE	8			0.01A	1048576 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	20.955mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
71V65703S85BQ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	165		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		锡铅	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225					20				COMMERCIAL	Parallel		1		90MHz	0.225mA		256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A		8.5 ns	COMMON								15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V547S100PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2015	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	66MHz	0.2mA		128KX36	3-STATE	36			0.04A	4718592 bit	10 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V632S7PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2015	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1	SYNCHRONOUS	66MHz	0.16mA		64KX32	3-STATE	32			0.015A	2097152 bit	7 ns	COMMON			3.14V	3.63V	3.135V	YES	1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71V3556SA100BQI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装		165	255mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2015	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225				100MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel		1				5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA12PHG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	150mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel	128kB	1				12 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
7006L20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	240mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				20 ns	16KX8	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V546S100PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2007	e0	no		3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm		100MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.25mA		128KX36	3-STATE	36			0.04A	4718592 bit	5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			符合RoHS标准
71V3577S75BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			117MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel		1				7.5 ns				17b	4.5 Mb					Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3556SA133BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装			165	300mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			133MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				4.2 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V632S6PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2012	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1	SYNCHRONOUS	83MHz	0.18mA		64KX32	3-STATE	32			0.015A	2097152 bit	6 ns	COMMON			3.14V	3.63V	3.135V	YES	1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71V416S10BE	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TFBGA	48	200mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e0	no	活跃	4 (72 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				10 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71T75802S200PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP		100	295mA	200MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		2.5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		200MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1				3.2 ns		3-STATE		20b	18 Mb				COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67703S85BQGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	210mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			87MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel		1				8.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V424S12Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	36		RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0	no		3 (168 Hours)	36	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm			30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.17mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	3.683mm	23.495mm	10.16mm			符合RoHS标准
71V416L15BEG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TFBGA	48	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm							INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		18b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3569S5BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	208		RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm			20				COMMERCIAL	Parallel	72kB	2		100MHz	0.36mA	10 ns	16KX36	3-STATE		28b	576 kb	0.015A			COMMON				3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V124SA15PHI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		SOIC	YES	32		RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0	no		3 (168 Hours)	32	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	1.27mm	not_compliant		30	R-PDSO-G32	不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel					0.12mA		128KX8	3-STATE	8			0.01A	1048576 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3.15V		1.2mm	20.95mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
71V3577S80PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	200mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流线型结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		100MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7006L20JGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	68		RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	QUAD	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	16kB	2				20 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb	0.004A			COMMON			2V	5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅