IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)		包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	最大电流源	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V28L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	235mA	RAM, SDR, SRAM		2008			活跃					70°C	0°C		3.3V											Parallel	128kB	2			15 ns			32b	1 Mb			Asynchronous	16b		3.6V	3V		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3579S5DR	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP		208	360mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	100MHz				COMMERCIAL	Parallel	128kB	2			10 ns		3-STATE	30b	1.1 Mb		COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025S45J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		84		RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel	16kB	2			45 ns			13b	128 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V658S15DR	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP		208	440mA	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		20			COMMERCIAL	Parallel	256kB	2			15 ns	64KX36	3-STATE	32b	2.3 Mb	0.015A	COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V	4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
7019L20PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	300mA	RAM, SRAM	Tape & Reel	2005			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel		2			20 ns			34b	1.1 Mb			Asynchronous	9b		5.5V	4.5V		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321L55TF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP		64	85mA	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20			COMMERCIAL	Parallel	2kB	2			55 ns		3-STATE	22b	16 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V	1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321S35TF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP		64	125mA	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20			COMMERCIAL	Parallel	2kB	2			35 ns		3-STATE	22b	16 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA100JI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		52	190mA	RAM, SDR, SRAM		2013			活跃					85°C	-40°C		5V											Parallel	1kB	2			100 ns			20b	8 kb			Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9279S9PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	260mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	225		0.5mm	40MHz				COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			9 ns		3-STATE	30b	512 kb	0.005A	COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9279S9PRF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	260mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	40MHz				COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			9 ns		3-STATE	15b	512 kb	0.005A	COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
709089L12PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		TQFP	YES	100		RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	5V	QUAD	FLAT	240	1	0.5mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2	50MHz	0.305mA	12 ns	64KX8	3-STATE	32b	512 kb	0.005A	COMMON				5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71321LA25TF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		64	170mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2			25 ns		3-STATE	22b	16 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V05L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		64	195mA	RAM, SDR, SRAM		2006	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20			INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2			20 ns	8KX8	3-STATE	26b	64 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V631S10BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			256	500mA	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm			500mA		COMMERCIAL	Parallel	512kB	2			10 ns		3-STATE	36b	4.5 Mb	0.015A	COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V	1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7035S15PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	310mA	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	18kB	2			15 ns	8KX18	3-STATE	26b	144 kb	0.015A	COMMON	Asynchronous	18b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V35L25PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	165mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20			COMMERCIAL	Parallel	18kB	2			25 ns	8KX18	3-STATE	26b	144 kb		COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA35PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		64	165mA	RAM, SDR, SRAM		2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2			35 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.03A	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9269S9PRF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	260mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	40MHz				COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			9 ns	16KX16	3-STATE	14b	256 kb	0.005A	COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7008S25J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		84	305mA	RAM, SDR, SRAM		2010	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE	5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			25 ns	64KX8	3-STATE	32b	512 kb	0.015A	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7008L55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		84	230mA	RAM, SDR, SRAM		2010	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE	5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			55 ns	64KX8	3-STATE	32b	512 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V632S7PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	160mA	RAM, SRAM	Tape & Reel	2015	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	66.6MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel		1			7 ns	64KX32	3-STATE	16b	2 Mb		COMMON	Synchronous	32b		3.63V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V9279L12PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	205mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	225		0.5mm	33.3MHz				COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			12 ns		3-STATE	30b	512 kb	0.003A	COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9269S6PRF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	395mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	52.6MHz				COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			6 ns	16KX16	3-STATE	14b	256 kb	0.005A	COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3379S5PRFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	415mA	RAM, SRAM	Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	100MHz				INDUSTRIAL	Parallel		2			5 ns		3-STATE	15b	576 kb	0.03A	COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3319S133BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			208	370mA	RAM, SRAM		2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm	133MHz				COMMERCIAL	Parallel		2			15 ns		3-STATE	18b	4 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V		15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅