Integrated Device Technology (IDT) 70125S35J8
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70125S35J8
1179-70125S35J8
存储器
LCC
大陆
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SRAM Chip Async Dual 5V 18K-Bit 2K x 9-Bit 35ns 52-Pin PLCC T/R
1最小包装量--
70125S35J8详情
Integrated Device Technology (IDT) 70125S35J8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
包装/外壳
LCC
表面安装
YES
引脚数
52
Memory Types
RAM, SRAM
包装
Tape & Reel
已出版
2008
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
52
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
52
资历状况
不合格
工作电源电压
5V
电源
5V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
22b
密度
18 kb
待机电流-最大值
0.015A
访问时间(最大)
35 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
座位高度(最大)
4.57mm
长度
19mm
宽度
19mm
器件厚度
3.63mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
70125S35J8拓展信息
IDT
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