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品牌是'Micron Technology' (10000)
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 越来越多的功能 | 引脚数 | 触点形状 | 外壳材料 | 供应商器件包装 | 插入材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | ECCN 代码 | 连接器类型 | 类型 | 定位的数量 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 紧固类型 | 子类别 | 触点类型 | 螺距 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 方向 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 入口保护 | 端子间距 | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 频率稳定性 | 输出量 | 外壳完成 | 外壳尺寸-插入 | 终端样式 | JESD-30代码 | 功能 | 基本谐振器 | 最大电流源 | 资历状况 | 房屋颜色 | 电源 | 温度等级 | 电流 - 电源（禁用）（最大值） | 注意 | 电压 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 外壳尺寸，MIL | 时钟频率 | 扩频带宽 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 包括 | 记忆密度 | 最高频率 | 故障保护 | 并行/串行 | 电池化学 | 内存IC类型 | 单元格数量 | 输出格式 | 编程电压 | 绝对牵引范围 (APR) | 串行总线类型 | 耐力 | 数据保持时间 | 写入保护 | 外形尺寸 | 电压 - 供电 （最大值） | 电压 - 供电 （最小值） | 访问模式 | 产品 | 特征 | 自我刷新 | 产品类别 | 组织的记忆 | 产品长度 | 产品宽度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 材料可燃性等级 | 辐射硬化 | 评级结果 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC128GAZAQJP-AIT TR | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 153-VFBGA | 153-VFBGA (11.5x13) | Micron Technology Inc. | Non-Volatile | MTFC128 | 2000 | SMD/SMT | 美光技术 | Micron | Details | Tape & Reel (TR) | 活跃 | -40°C ~ 85°C (TA) | Reel | Automotive, AEC-Q100 | Memory & Data Storage | 2.7V ~ 3.6V | 1Tbit | 200 MHz | FLASH | MMC | - | eMMC | eMMC闪存盘 | eMMC | 128G x 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 200-WFBGA | 200-WFBGA (10x14.5) | Micron Technology Inc. | Tape & Reel (TR) | 活跃 | MT53E512 | 2.133 GHz | + 85 C | 1.1 V | - 25 C | 2000 | SMD/SMT | 美光技术 | Micron | Details | 切割胶带 | - | SDRAM Mobile - LPDDR4 | Memory & Data Storage | 16 Gbit | 32 bit | 512 M x 32 | DRAM | DRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT58L64V36PT-5 | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Micron Technology Inc. | 活跃 | Bulk | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT41K512M16VRP-107 IT:P TR | Micron Tech | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 96-TFBGA | 96-FBGA (8x14) | Micron Technology Inc. | Volatile | 1.45 V | 2000 | 1.283 V | 美光技术 | Micron | SMD/SMT | Tape & Reel (TR) | 活跃 | -40°C ~ 95°C (TC) | Reel | TwinDie™ | Memory & Data Storage | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 8Gbit | 933 MHz | 20 ns | DRAM | Parallel | 15ns | DRAM | DRAM | 512M x 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT40A512M16TB-062E:R | Micron Tech | 数据表 | 4950 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) | Micron Technology Inc. | DDR4 | + 95 C | 1.26 V | 0 C | 1020 | 1.14 V | SMD/SMT | 美光技术 | Micron | Details | MT40A512M16 | 活跃 | Volatile | 0°C ~ 95°C (TC) | SDRAM - DDR4 | Memory & Data Storage | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 8 Gbit | 1.6GHz | 625ps | DRAM | Parallel | 16 bit | 512 M x 16 | 15ns | DRAM | DRAM | 512M x 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N25Q064A13ESE4ME | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Obsolete (Last Updated: 2 years ago) | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Leads | YES | 8 | SNT-6A | 8 | SOP | ABLIC Inc. | SQUARE | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.77 | 活跃 | S-8200 | Tape & Reel (TR) | Compliant | SOP-8 | 小概要 | 64000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 85 °C | N25Q064A13ESE4ME | 108 MHz | 67108864 words | 3 V | -40°C ~ 85°C (TA) | - | NOR型号 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 1 | 1.27 mm | unknown | 108 MHz | S-PDSO-G8 | 电池保护 | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | SYNCHRONOUS | 7 | 64MX1 | 2.16 mm | 1 | 64 Mb | 64 | Over Current, Short Circuit | SERIAL | Lithium Ion/Polymer | FLASH | 1 | 2.7 V | 3.6 V | 2.7 V | 5.285 mm | 5.285 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFC64GASAONS-AIT | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 153-TFBGA | 153-TFBGA (11.5x13) | Micron Technology Inc. | TFBGA | Box | 活跃 | Non-Volatile | + 95 C | 3.3 V | - 40 C | 1520 | 3.3 V | SMD/SMT | UFS 2.1 | 美光技术 | Micron | -40 to 95 °C | Automotive, AEC-Q104 | Memory & Data Storage | FLASH - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 512Gbit | 52 MHz | FLASH | UFS2.1 | - | Universal Flash Storage (UFS) | Universal Flash Storage - UFS | 64G x 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT29F16G08ADBCAH4-ITES:C | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 面板安装 | Flange | Circular | 铝合金 | -- | -- | 22D | Compliant | -65°C ~ 175°C | Bulk | Military, MIL-DTL-38999 Series I, LJT | 活跃 | -- | 插座外壳 | 用于内螺纹插座 | 22 | 卡口锁 | Crimp | 1.8 V | B | Unshielded | 抗环境干扰 | 镉比镍 | 13-35 | 橄榄色 | 不包括触点 | Parallel | 1.9 GB | -- | 30 | -- | 16 | -- | -- | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT29F128G08EBEBBWP-M:B | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Compliant | 3.3 V | 14.9 GB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EDB8164B4PT-1DIT-F-R | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 216 | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.72 | VFBGA, | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 85 °C | 有 | EDB8164B4PT-1DIT-F-R | 134217728 words | 1.2 V | VFBGA | SQUARE | Micron Technology Inc | AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 | 0.4 mm | compliant | S-PBGA-B216 | INDUSTRIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 128MX64 | 0.8 mm | 64 | 8 | DDR DRAM | 1.95 V | 1.14 V | 单库页面突发 | YES | 12 mm | 12 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT29F512G08AUCBBH8-6ES:B | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Non-Compliant | 3.3 V | 59.6 GB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EBJ81UG8EFU0-GN-F | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 204 | 5.75 | EBJ81UG8EFU0-GN-F | 有 | DIMM, | 微电子组件 | 1000000000 | UNSPECIFIED | 未说明 | 70 °C | 1073741824 words | 1.35 V | DIMM | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | EAR99 | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.5V NOM; WD-MAX | CMOS | ZIG-ZAG | 无铅 | 未说明 | 1 | compliant | R-XZMA-N204 | COMMERCIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 1GX64 | 30.15 mm | 64 | 68719476736 bit | DDR内存模块 | 1.45 V | 1.283 V | 双库页面突发 | YES | 67.6 mm | 3.8 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT25QU01GBBA8E12-0SIT | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Obsolete (Last Updated: 2 years ago) | YES | 24 | 24 | 1.8 V | BGA | SQUARE | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.82 | Non-Compliant | BGA, BGA24,5X5,40 | 网格排列 | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA24,5X5,40 | -40 °C | 85 °C | 有 | MT25QU01GBBA8E12-0SIT | 133 MHz | 134217728 words | NOR型号 | 闪存 | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 mm | compliant | 133 MHz | S-PBGA-B24 | 不合格 | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | Serial (SPI) | 0.06 mA | 6 | 128MX8 | 8 | 1 Gb | 0.00005 A | 1 | SERIAL | FLASH | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 V | 1.7 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EDB1316BDBH-1DIT-F-R | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 134 | 活跃 | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.67 | VFBGA, | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 64000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 85 °C | 有 | EDB1316BDBH-1DIT-F-R | 67108864 words | 1.2 V | VFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | e1 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 | 0.65 mm | compliant | R-PBGA-B134 | INDUSTRIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 64MX16 | 1 mm | 16 | 1073741824 bit | DDR DRAM | 1.3 V | 1.14 V | 单库页面突发 | YES | 11.5 mm | 10 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA16ATF1G64HZ-2G1A1 | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Gold | Socket | Compliant | 95 °C | 0 °C | 1.2 V | 64 b | 1.07526 GHz | 1.26 V | 1.14 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHBA1T0QFD-1AX1AABYY | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | SiTime | 5 | 美光技术 | Micron | Strip | 活跃 | NVMe | QLC | -20°C ~ 70°C | SiT8008B | 0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm) | XO (Standard) | Memory & Data Storage | 3.3V | 21 MHz | ±50ppm | HCMOS, LVCMOS | Enable/Disable | MEMS | 4.5mA | 4.2mA | 1 TB | - | Solid State Drives - SSD | - | M.2 2280 | SATA固态硬盘 | Solid State Drives - SSD | 0.039 (1.00mm) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTSD004AGC2RG-1WT | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 | Micron Technology Inc. | Bulk | Obsolete | -20 to 70 °C | - | 5.0800 | 7 | 5 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFC128GAVATTC-AAT TR | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Micron Technology Inc. | - 40 C | + 105 C | 2000 | 3.3 V | LFBGA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3.3 V | -40 to 105 °C | Reel | - | 3.3 V | 128 GB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFC256GASAONS-AIT | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TFBGA-153 | 153 | 153-TFBGA (11.5x13) | Micron Technology Inc. | UFS 2.1 | - 40 C | + 95 C | SMD/SMT | 1520 | 3.3 V | TFBGA | 表面贴装 | Box | 活跃 | Non-Volatile | 3.3 V | -40 to 95 °C | Automotive, AEC-Q104 | UFS | FLASH - NAND (SLC) | 3.3 V | 256 GB | 52 MHz | FLASH | UFS2.1 | - | 256 GB | 256G x 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFC256GASAONS-AAT | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TFBGA-153 | 153 | 153-TFBGA (11.5x13) | Micron Technology Inc. | UFS 2.1 | - 40 C | + 105 C | SMD/SMT | 1520 | 3.3 V | TFBGA | 表面贴装 | Box | 活跃 | Non-Volatile | 3.3 V | -40 to 105 °C | Automotive, AEC-Q100 | 通用闪存 | FLASH - NAND (SLC) | 3.3 V | 256 GB | 52 MHz | FLASH | UFS2.1 | - | 256 GB | 256G x 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFC256GASAONS-AAT TR | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TFBGA-153 | Micron Technology Inc. | UFS 2.1 | - 40 C | + 105 C | SMD/SMT | 2000 | 3.3 V | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3.3 V | - | 3.3 V | 256 GB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFC8GACAEDQ-AIT | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Micron Technology Inc. | LBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | -40 to 85 °C | * | Embedded MMC | 3.3000 V | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H32M16HW-25E AT:G | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 84 | 1 | 155000-5753 | ITT Cannon | ITT Cannon | Details | 105 °C | -40 °C | Circular Connectors | 1.8 V | 400 ps | 16 b | 15 b | 军规圆形连接器 | 512 Mb | 800 MHz | 军规圆形连接器 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N25Q128A41EF740E | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | 85 °C | 有 | N25Q128A41EF740E | 108 MHz | 134217728 words | 1.8 V | HVSON | RECTANGULAR | 活跃 | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.76 | 50 | Bulgin | Bulgin | 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VDFN-8 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | Bulk | 2.92mm | 射频互连器件 | CMOS | DUAL | Straight | 无铅 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PDSO-N8 | INDUSTRIAL | SYNCHRONOUS | 128MX1 | 0.9 mm | 1 | RF Connectors / Coaxial Connectors | 134217728 bit | SERIAL | FLASH | 1.8 V | 2 V | 1.7 V | RF Connectors / Coaxial Connectors | 6 mm | 5 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT40A1G16KH-062E AAT:E TR | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 96-TFBGA | 96-FBGA (9x13) | Micron Technology Inc. | 55 % | + 85 C | - 40 C | 1000 | SMD/SMT | CTS | CTS电子元件 | Details | Tape & Reel (TR) | 活跃 | Volatile | -40°C ~ 105°C (TC) | Reel | 356P/L | Oscillators | SDRAM - DDR4 | 3.3 V | 54 mA | 156.25 MHz | 30 PPM | SMD/SMT | 16Gbit | 1.6 GHz | 19 ns | DRAM | POD | 15ns | VCXO | LVPECL | VCXO 振荡器 | 1G x 16 |
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MTFC128GAZAQJP-AIT TR
Micron Technology Inc.
分类:Memory
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Micron Tech
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Micron Tech
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21.722182
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Micron Technology
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Micron Technology
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