ABB EHDB280C-YL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

88A (Tc)

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Product Status

活跃

Manufacturer Part Number

EHDB280C-YL

Manufacturer

ABB

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

终端

箱形凸耳

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 58A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5150 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

线圈电压

24 VDC

场效应管特性

-

辅助触点

1NO, 1NC