Advanced Linear Devices Inc. ALD111933PAL

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

0°C~70°C TJ

包装

Tube

系列

EPAD®

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

Reach合规守则

unknown

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500 Ω @ 5.9V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.35V @ 1μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.5pF @ 5V

连续放电电流(ID)

6.9mA

栅极至源极电压(Vgs)

10.6V

漏源击穿电压

10V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant