注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Advanced Power Electronics Corp AP04N60I

Name: AP04N60I
Brand: Advanced Power Electronics Corp
SKU: 54-AP04N60I
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

AP04N60I

品牌

Advanced Power Electronics Corp

utmel 编号

54-AP04N60I

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 4 A, 600 V, 2.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN, FET General Purpose Power

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

AP04N60I Advanced Power Electronics Corp TRANSISTOR 4 A, 600 V, 2.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN, FET General Purpose Power

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

AP04N60I详情

技术参数

PDF文档

Advanced Power Electronics Corp AP04N60I重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Part Package Code

TO-220AB
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)

4 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

2.35 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15 A
DS 击穿电压-最小值

600 V
雪崩能量等级（Eas）

8 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Advanced Power Electronics Corp AP04N60I.

数据表 :
5e85c6be3c2b3086e0a6af97a72a7c4d.pdf

AP04N60I拓展信息

热销零件