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Advanced Power Electronics Corp AP0503GMA

Name: AP0503GMA
Brand: Advanced Power Electronics Corp
SKU: 54-AP0503GMA
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AP0503GMA

品牌

Advanced Power Electronics Corp

utmel 编号

54-AP0503GMA

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, APAK-5, FET General Purpose Power

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AP0503GMA Advanced Power Electronics Corp Description: TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, APAK-5, FET General Purpose Power

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AP0503GMA详情

技术参数

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Advanced Power Electronics Corp AP0503GMA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Drain Current-Max (ID)

75 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

5
JESD-30代码

R-PSSO-G4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.0042 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

29 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Advanced Power Electronics Corp AP0503GMA.

数据表 :
ADPOS00313-1.pdf

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