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Advanced Power Electronics Corp AP2RA04GMT-HF

Name: AP2RA04GMT-HF
Brand: Advanced Power Electronics Corp
SKU: 54-AP2RA04GMT-HF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AP2RA04GMT-HF

品牌

Advanced Power Electronics Corp

utmel 编号

54-AP2RA04GMT-HF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 130 A, 40 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8, FET General Purpose Power

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AP2RA04GMT-HF Advanced Power Electronics Corp TRANSISTOR 130 A, 40 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8, FET General Purpose Power

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AP2RA04GMT-HF详情

技术参数

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Advanced Power Electronics Corp AP2RA04GMT-HF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Drain Current-Max (ID)

130 A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-F8
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.0046 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250 A
DS 击穿电压-最小值

40 V
雪崩能量等级（Eas）

28.8 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

83.3 W

0个相似型号

技术文档: Advanced Power Electronics Corp AP2RA04GMT-HF.

数据表 :
96944c52f8735a87f89757b1e431e95a.pdf

AP2RA04GMT-HF拓展信息

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