ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT1003RBLL

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT1003RBLL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Advanced Power Technology

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.61

Drain Current-Max (ID)

4 A

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-39017/01, RLR07

操作温度

-65°C ~ 150°C

尺寸/尺寸

0.090 Dia x 0.250 L (2.29mm x 6.35mm)

容差

±2%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±100ppm/°C

电阻

3 MOhms

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.25W, 1/4W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

失败率

R (0.01%)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

425 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

座位高度(最大)

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