ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT5025BNR

触点镀层

50 microinches Gold Plate

安装类型

Wall - Front Mount - Thru Holes

表面安装

NO

外壳材料

不锈钢

插入材料

Hard Dielectric

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Contact Sizes

79#22D

Service Rating

M

Insert Arrangement

G35

Contact Materials

Copper Alloy

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT5025BNR

Turn-on Time-Max (ton)

90 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Advanced Power Technology

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Turn-off Time-Max (toff)

220 ns

Risk Rank

5.8

Drain Current-Max (ID)

23 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

有

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

触点样式

Socket

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

密封

Meets IP67

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大漏极电流 (Abs) (ID)

23 A

漏极-源极导通最大电阻

0.25 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

310 W

外壳电镀

Passivated

反馈上限-最大值 (Crss)

270 pF

环境耗散-最大值

360 W