Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCNTR
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AS4C16M16D1-5BCNTR
101-AS4C16M16D1-5BCNTR
存储器
60-TFBGA
大陆
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
--最小包装量--
AS4C16M16D1-5BCNTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCNTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
2.3V~2.7V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
工作电源电压
2.5V
内存大小
256Mb 16M x 16
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
256 Mb
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C16M16D1-5BCNTR拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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