Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BIN
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AS4C4M16S-6BIN
101-AS4C4M16S-6BIN
存储器
54-TFBGA
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DRAM 64Mb, 3.3V, 166Mhz 4M x 16 SDRAM
1最小包装量--
AS4C4M16S-6BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
64Mb 4M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
最大电源电流
85mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
2ns
地址总线宽度
12b
密度
64 Mb
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AS4C4M16S-6BIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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