Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BCN
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AS4C64M32MD1-5BCN
101-AS4C64M32MD1-5BCN
存储器
90-VFBGA
大陆
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IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA
--最小包装量--
AS4C64M32MD1-5BCN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD1-5BCN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
90
Memory Types
Volatile
操作温度
-25°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 64M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
2147483648 bit
长度
13mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C64M32MD1-5BCN拓展信息
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