Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TIN
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AS4C64M8D1-5TIN
101-AS4C64M8D1-5TIN
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
--最小包装量--
AS4C64M8D1-5TIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G66
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
536870912 bit
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C64M8D1-5TIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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