Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BCN
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AS4C8M16D1-5BCN
101-AS4C8M16D1-5BCN
存储器
60-TFBGA
大陆
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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
--最小包装量--
AS4C8M16D1-5BCN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BCN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B60
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
134217728 bit
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C8M16D1-5BCN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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