AOD7N65
AOD7N65

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Alpha AOD7N65

  • 收藏
  • 对比

型号

AOD7N65

品牌

Alpha

utmel 编号

113-AOD7N65

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
AOD7N65
AOD7N65 Alpha Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

AOD7N65详情

Alpha AOD7N65重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    AOD7N65

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Risk Rank

    1.69

  • Drain Current-Max (ID)

    7 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -50 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.56 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    23 A

  • DS 击穿电压-最小值

    650 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    288 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    178 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    10 pF

0个相似型号

AOD7N65拓展信息

45463GR199
45463GR199

Alpha Wire

55160189451
55160189451

Alpha Wire

5539/BCA
5539/BCA

Alpha Wire

50703-0524W-001
50703-0524W-001

Alpha Wire

51441R
51441R

Alpha Wire

45199/10BK990
45199/10BK990

Alpha Wire

7926-09FAA
7926-09FAA

Alpha Wire

25430/2SL001
25430/2SL001

Alpha Wire

25373RD099
25373RD099

Alpha Wire

3580/14
3580/14

Alpha Wire

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z