参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
8-SOIC
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A (Ta)
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AO4914
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Alpha & Omega Semiconductor
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank
6.41
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
8 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
2W (Ta)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual), Schottky
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20.5mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
865pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0205 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
120 pF