AOD4N60
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4N60

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型号

AOD4N60

utmel 编号

110-AOD4N60

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

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AOD4N60
AOD4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V 4A TO252

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AOD4N60详情

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    104W Tc

  • 操作温度

    -50°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.3 Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    640pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    14.5nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    4A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • DS 击穿电压-最小值

    600V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    235 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4N60.

右边的3个型号有着和Alpha & Omega Semiconductor Inc. & AOD4N60相似的参数规格。

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AOD4N60拓展信息

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