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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.700805
10
¥8.208303
100
¥7.743682
500
¥7.305364
1000
¥6.891853
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4N60
- 收藏
- 对比
AOD4N60
110-AOD4N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 600V 4A TO252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AOD4N60详情
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
104W Tc
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.3 Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
640pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
4A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
235 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AOD4N60拓展信息
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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