Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4S60L

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

aMOS™

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

263pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.9Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

77 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant