Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT7N60

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

192W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

192W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 3.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1035pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

RoHS状态

ROHS3 Compliant