AMD AM27S19/BEA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

256-LBGA

表面安装

NO

供应商器件包装

256-CABGA (17x17)

终端数量

16

Memory Types

Volatile

Package Description

CERAMIC, DIP-16

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

32

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP16,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

50 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

AM27S19/BEA

Number of Words

32 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

AMD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED MICRO DEVICES INC

Risk Rank

7.89

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

OTP ROM

技术

SRAM - Dual Port, Synchronous

电压 - 供电

3.15 V ~ 3.45 V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IDT70V3399

引脚数量

16

JESD-30代码

R-GDIP-T16

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

2Mb (128K x 18)

操作模式

ASYNCHRONOUS

时钟频率

133MHz

电源电流-最大值

0.115 mA

访问时间

4.2ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32X8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

--

记忆密度

256 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM

宽度

7.62 mm

长度

19.431 mm