AMD AM28F010-120/BUA

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

Axial

终端数量

32

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CERAMIC, LCC-32

Package Style

CHIP CARRIER

Number of Words Code

128000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

LCC32,.45X.55

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

AM28F010-120/BUA

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCN

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

AMD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED MICRO DEVICES INC

Risk Rank

8.61

Part Package Code

QFJ

Usage Level

Military grade

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

3A001.A.2.C

温度系数

±50ppm/°C

类型

NOR型号

电阻

8.06 kOhms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

附加功能

BULK ERASE

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-CQCC-N32

资历状况

不合格

失败率

M (1%)

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.03 mA

组织结构

128KX8

座位高度-最大

2.54 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0001 A

记忆密度

1048576 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

12 V

耐力

10000 Write/Erase Cycles

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

座位高度(最大)

--

宽度

11.43 mm

长度

13.97 mm