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技术文档
型号
AM29F100B-120DTE1
品牌
AMD
utmel 编号
126-AM29F100B-120DTE1
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
AM29F100B-120DTE1 datasheet pdf and Unclassified product details from AMD stock available at utmel
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AM29F100B-120DTE1详情
技术参数
AMD AM29F100B-120DTE1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
触点镀层
50 microinches Gold Plate
安装类型
Wall - Front Mount - Thru Holes
表面安装
YES
外壳材料
铝合金
插入材料
Hard Dielectric
终端数量
47
Contact Sizes
37#22D
Service Rating
M
Insert Arrangement
D35
Contact Materials
Copper Alloy
Package Style
UNCASED CHIP
Number of Words Code
128000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIE
Package Shape
Manufacturer
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Risk Rank
5.82
ECCN 代码
3A001.A.2.C
类型
NOR型号
附加功能
MIN 100K PROGRAM/ERASE CYCLE; CAN BE CONFG AS 64K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
屏蔽/屏蔽
有
功能数量
1
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
X-XUUC-N47
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
触点样式
Socket
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
密封
Meets IP67
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
外壳电镀
化学镍
引导模块
BOTTOM
AM29F100B-120DTE1拓展信息
公司资质
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