American Power Devices Inc APM2106SGC-TRL
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APM2106SGC-TRL
1932-APM2106SGC-TRL
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, JSC70-8
1最小包装量--
APM2106SGC-TRL详情
American Power Devices Inc APM2106SGC-TRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ANPEC ELECTRONICS CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
2
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
APM2106SGC-TRL拓展信息
American Power Devices Inc
Sync Power Corp
Innovative Power Products Inc
American Power Devices Inc
Sync Power Corp
American Power Devices Inc
Sync Power Corp
American Power Devices Inc
Sync Power Corp
American Power Devices Inc







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