AMI Semiconductor 2N4400TAR
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2N4400TAR
137-2N4400TAR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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2N4400TAR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
2N4400TAR详情
AMI Semiconductor 2N4400TAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商器件包装
TO-92-3
Voltage, Rating
150 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Box (TB)
容差
0.25 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
温度系数
50 ppm/°C
电阻
910 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
125 mW
基本部件号
2N4400
功率 - 最大
625mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 150mA, 1V
最大集极截止电流
-
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
-
高度
650 µm
2N4400TAR拓展信息
AMI Semiconductor
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