AMI Semiconductor 2N7000BU_T

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件包装

TO-92-3

Voltage, Rating

150 V

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

400mW (Ta)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

容差

0.1 %

温度系数

25 ppm/°C

电阻

37.9 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

125 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

基本部件号

2N7000

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

高度

650 µm