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技术文档

AMI Semiconductor FDBL86363-F085

Name: FDBL86363-F085
Brand: AMI Semiconductor
SKU: 137-FDBL86363-F085
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

FDBL86363-F085

品牌

utmel 编号

137-FDBL86363-F085

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-PowerSFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FDBL86363-F085 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

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FDBL86363-F085 AMI Semiconductor

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技术参数

AMI Semiconductor FDBL86363-F085重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-PowerSFN
供应商器件包装

8-PSOF
RoHS

Non-Compliant
Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

240A (Tc)
Other Names

FDBL86363-F085TR FDBL86363_F085 FDBL86363_F085TR FDBL86363_F085TR-ND
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

357W (Tj)
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装

Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2 mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10000pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

169nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

80V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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