AMI Semiconductor 2SB1201S-E
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2SB1201S-E
137-2SB1201S-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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2SB1201S-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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2SB1201S-E详情
AMI Semiconductor 2SB1201S-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
2-TP-FA
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Other Names
2SB1201S-E-ND 2SB1201S-EOS
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
2SB1201
功率 - 最大
800mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
150MHz
2SB1201S-E拓展信息
AMI Semiconductor
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