AMI Semiconductor FDG315N

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SC-70-6

Power Dissipation (Max)

750mW (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Other Names

FDG315NCT

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

包装

Cut Tape (CT)

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120 mOhm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

220pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-