AMI Semiconductor FDP150N10A-F102
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FDP150N10A-F102
137-FDP150N10A-F102
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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FDP150N10A-F102 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
FDP150N10A-F102详情
AMI Semiconductor FDP150N10A-F102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A (Tc)
Other Names
FDP150N10A_F102 FDP150N10A_F102-ND
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
91W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
PowerTrench®
包装
Tube
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15 mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1440pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
FDP150N10A-F102拓展信息
AMI Semiconductor
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