AMI Semiconductor FQB2N60TM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D²PAK (TO-263AB)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.13W (Ta), 64W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7 Ohm @ 1.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-