AMI Semiconductor FQU2N80TU

触点镀层

Gold

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件包装

I-PAK

RoHS

Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

2.804 MΩ

性别

Male

技术

MOSFET (Metal Oxide)

接头数量

3

触点样式

Pin

绝缘电阻

5 GΩ

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3 Ohm @ 900mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-