AMI Semiconductor ISL9N303AP3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

215W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

UltraFET™

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2 mOhm @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7000pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

172nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-