AMI Semiconductor MJD253-1G
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MJD253-1G
137-MJD253-1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MJD253-1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MJD253-1G详情
AMI Semiconductor MJD253-1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件包装
I-PAK
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
4A
Other Names
MJD253-1G-ND MJD253-1GOS MJD2531G
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
MJD253
功率 - 最大
1.4W
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
频率转换
40MHz
MJD253-1G拓展信息
AMI Semiconductor
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