AMI Semiconductor MMBT3906_F080
- 收藏
- 对比
MMBT3906_F080
137-MMBT3906_F080
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MMBT3906_F080 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MMBT3906_F080详情
AMI Semiconductor MMBT3906_F080重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
基本部件号
MMBT3906
功率 - 最大
350mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
最大集极截止电流
-
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
250MHz
MMBT3906_F080拓展信息
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor







哦! 它是空的。