AMI Semiconductor MMBT6520LT3G
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MMBT6520LT3G
137-MMBT6520LT3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MMBT6520LT3G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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MMBT6520LT3G详情
AMI Semiconductor MMBT6520LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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触点镀层
Gold
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
外壳材料
Aluminium
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
RoHS
Non-Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Crimp
定位的数量
14
基本部件号
MMBT6520
军用标准
MIL-DTL-26482
触点性别
Female
镀层
Zinc
功率 - 最大
225mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
最大集极截止电流
50nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
350V
频率转换
200MHz
MMBT6520LT3G拓展信息
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