AMI Semiconductor MMBTA70LT1G
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MMBTA70LT1G
137-MMBTA70LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MMBTA70LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MMBTA70LT1G详情
AMI Semiconductor MMBTA70LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
Voltage, Rating
50 V
Other Names
MMBTA70LT1G-ND MMBTA70LT1GOSTR
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
容差
0.25 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
温度系数
100 ppm/°C
电阻
62 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
100 mW
基本部件号
MMBTA70
功率 - 最大
225mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
125MHz
高度
550 µm
MMBTA70LT1G拓展信息
AMI Semiconductor
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