AMI Semiconductor MPS6601G
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MPS6601G
137-MPS6601G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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MPS6601G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MPS6601G详情
AMI Semiconductor MPS6601G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件包装
TO-92-3
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Other Names
MPS6601GOS
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
MPS6601
功率 - 最大
625mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
频率转换
100MHz
MPS6601G拓展信息
AMI Semiconductor
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