AMI Semiconductor MSB710-RT1G
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MSB710-RT1G
137-MSB710-RT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MSB710-RT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MSB710-RT1G详情
AMI Semiconductor MSB710-RT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SC-59
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
200mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 30mA, 300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
MSB710-RT1G拓展信息
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