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技术文档

AMI Semiconductor NJVMJD31CT4G-VF01

Name: NJVMJD31CT4G-VF01
Brand: AMI Semiconductor
SKU: 137-NJVMJD31CT4G-VF01
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

NJVMJD31CT4G-VF01

品牌

utmel 编号

137-NJVMJD31CT4G-VF01

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NJVMJD31CT4G-VF01 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

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NJVMJD31CT4G-VF01 AMI Semiconductor

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NJVMJD31CT4G-VF01详情

技术参数

AMI Semiconductor NJVMJD31CT4G-VF01重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

DPAK
Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)

3A
Other Names

NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G-ND NJVMJD31CT4G-VF01OSTR NJVMJD31CT4GOSTR NJVMJD31CT4GOSTR-ND
操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
包装

Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
基本部件号

MJD31
功率 - 最大

1.56W
晶体管类型

NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V
最大集极截止电流

50µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A
电压 - 集射极击穿（最大值）

100V
频率转换

3MHz

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NJVMJD31CT4G-VF01拓展信息

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