AMI Semiconductor NSBC114TF3T5G
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NSBC114TF3T5G
137-NSBC114TF3T5G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-1123
大陆
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NSBC114TF3T5G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NSBC114TF3T5G详情
AMI Semiconductor NSBC114TF3T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1123
供应商器件包装
SOT-1123
RoHS
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
容差
1 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
44.2 kΩ
额定功率
100 mW
基本部件号
NSBC1*
功率 - 最大
254mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
10 kOhms
NSBC114TF3T5G拓展信息
AMI Semiconductor
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