AMI Semiconductor NSVMMUN2232LT1G
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NSVMMUN2232LT1G
137-NSVMMUN2232LT1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NSVMMUN2232LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NSVMMUN2232LT1G详情
AMI Semiconductor NSVMMUN2232LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
Watchdog Timers
无
RoHS
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Other Names
NSVMMUN2232LT1G-ND NSVMMUN2232LT1GOSTR
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
320 mW
基本部件号
MMUN22**L
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
700 mV
功率 - 最大
246mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小复位阈值电压
1.57 V
最大复位阈值电压
1.63 V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
4.7 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
4.7 kOhms
辐射硬化
无
NSVMMUN2232LT1G拓展信息
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