AMI Semiconductor NSS12100XV6T1G
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NSS12100XV6T1G
137-NSS12100XV6T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-563, SOT-666
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NSS12100XV6T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
NSS12100XV6T1G详情
AMI Semiconductor NSS12100XV6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-563
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Other Names
NSS12100XV6T1G-ND NSS12100XV6T1GOSTR
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
NSS12100
功率 - 最大
500mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
440mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率转换
-
NSS12100XV6T1G拓展信息
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