AMI Semiconductor NSS12600CF8T1G
- 收藏
- 对比
NSS12600CF8T1G
137-NSS12600CF8T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
8-SMD, Flat Lead
大陆
立即发货

NSS12600CF8T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
NSS12600CF8T1G详情
AMI Semiconductor NSS12600CF8T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
ChipFET™
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
830mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 1A, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
170mV @ 400mA, 4A
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率转换
100MHz
NSS12600CF8T1G拓展信息
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor







哦! 它是空的。