AMI Semiconductor NSS40500UW3T2G
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NSS40500UW3T2G
137-NSS40500UW3T2G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-WDFN Exposed Pad
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NSS40500UW3T2G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
NSS40500UW3T2G详情
AMI Semiconductor NSS40500UW3T2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-WDFN Exposed Pad
供应商器件包装
3-WDFN (2x2)
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
875mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 2A, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
260mV @ 400mA, 4A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
100MHz
NSS40500UW3T2G拓展信息
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