AMI Semiconductor NSS60200LT1G
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NSS60200LT1G
137-NSS60200LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NSS60200LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NSS60200LT1G详情
AMI Semiconductor NSS60200LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
Other Names
NSS60200LT1GOSTR
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
NSS60200
功率 - 最大
460mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 500mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
220mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
100MHz
NSS60200LT1G拓展信息
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