AMI Semiconductor NSVBC818-40LT1G
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NSVBC818-40LT1G
137-NSVBC818-40LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NSVBC818-40LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NSVBC818-40LT1G详情
AMI Semiconductor NSVBC818-40LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
RoHS
Non-Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
容差
20 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
10 °C
电容量
330 nF
深度
3.175 mm
螺纹距离
5.08 mm
电介质
Z5U
铅直径
508 µm
功率 - 最大
225mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
频率转换
100MHz
高度
5.08 mm
长度
5.08 mm
NSVBC818-40LT1G拓展信息
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